دیتاشیت SI2300BDS-T1-GE3-VB

SI2300BDS-T1-GE3-VB

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI2300BDS-T1-GE3-VB
حجم فایل 74.971 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت SI2300BDS-T1-GE3-VB

SI2300BDS-T1-GE3-VB Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec SI2300BDS-T1-GE3-VB
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2.1W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 8.8nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 865pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 6A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 55pF@10V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 28mΩ@4.5V,5A
  • Package: SOT-23-3
  • Manufacturer: VBsemi Elec

دیتاشیت محصولات مشابه